第四百一十七章：碳基芯片的离子掺杂(第3/5页)
这个问题对于碳基芯片来说可是超级致命级别的缺点。
就好像全国的高速公路没有出入口，没有收费站一样，所有的汽车（电子）会在上面到处乱串。
高纯度的碳化硅晶材本身就是一种性能相当优异的半导体材料。
而硅离子注入到石墨烯单晶材料中后，会与里面的碳原子形成稳定的碳化硅结构。
和掺杂银离子一样，通过特殊手段，碳原子可以利用它的s轨道和p轨道通过杂化作用和硅离子形成σ键，也能在pπ-pπ相互作用形成多重键，起到稳定石墨烯单晶晶圆的作用。
除此之外，硅离子因为本身电子的特性，它除了碳原子具备的s轨道和p轨道外，还多出来一个d轨道。
被离子注入进石墨烯材料中的硅离子中的d轨道会参与成键，除了形成对应的sp3d和sp3d2等额外的杂化轨道外，还会增强pπ-pπ相互作用形成多重键的稳定性。
这样一来，经过了银离子和硅离子两次掺杂的石墨烯单晶晶圆会在稳定上再上一层楼。
最终制造出来的碳基芯片不仅能耐高温，而且即便是遭受到了强电流的冲击也不会轻易损坏。
避免了意外或者黑客的破坏，其性能比起硅基芯片更强悍。
......
韩元的讲解，让直播间里面的观众明白了碳基芯片在制造流程上与硅基芯片的差别。
也让各国的专家将目光再一次聚集到‘轨道杂化理论’上来。
这一个即基础又高深的化学理论知识受到了所有国家的关注。
从这名主播的讲解中可以知道，‘轨道杂化理论’远不止它现在表现出来的那么简单。
尽管时至今日，轨道杂化理论仅被用来描述几何形状或环境。
但后续如果发展的话，它除了可以用来解释原子轨道的杂化外，还能通过计算，来在分子化学、高分子化学、理论化学这些专业上发挥巨大的作用。
这让各国都对其重视起来。
尽管目前‘轨道杂化理论’的高级部分还没有完善闭环，但重视程度代表了对应资金、人力、物力等各方面的投入。
相信在不久的将来，这门原本颇为冷门的专业就会焕发出磅礴的生机。
而韩元的目的也正是如此。
一个文明能否走远，依赖的是无数人共同的努力，而不是一个人的力量。
哪怕是他这样开了挂的存在，也不可能方方面面每一个科技分支都带着跑。
那样明显是不现实的事情。
所以碳基芯片使用的‘轨道杂化理论’只是一个引子。
它引出来轨道杂化技术和相关轨道知识，但各国开始研究和发展这么门理论和技术的时候，自然而然的就能将其延伸扩展到其他方面的应用上去。
韩元手中并不是没有碳基芯片的其他制备方法。
‘碳基集成电路板制备信息’中有十数种不同的碳基芯片制取方法。
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